En un minuto

Diego Dalvit y Steve Lamoreaux desarrollan una teoría de las fuerzas de Casimir-Lifshitz y Casimir-Polder con superficies semiconductoras o aislantes que incluye la deriva de cargas en el volumen, usando la ecuación clásica de Boltzmann. Las ondas dentro de los semiconductores interactúan con portadores en deriva, base de efectos como la amplificación de onda viajera en estado sólido. Derivan relaciones de dispersión dependientes de la frecuencia que se reducen a los resultados habituales de Lifshitz para dieléctricos. En el límite cuasiestático coinciden con resultados recientes que incluyen el apantallamiento de Debye en la fuerza térmica de Lifshitz para superficies con pocos portadores. El enfoque modifica la fuerza de Casimir-Lifshitz entre esos materiales y ofrece una forma de describir el efecto de una conductividad pequeña.

Contribution of drifting carriers to the Casimir-Lifshitz and Casimir-Polder interactions with semiconductor materials